三氟化氮在常溫下是一種無色、無臭、性質(zhì)穩(wěn)定的氣體，是一種強氧化劑。三氟化氮在微電子工業(yè)中作為一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，在離子蝕刻時裂解為活性氟離子，這些氟離子對硅和鎢化合物，高純?nèi)哂袃?yōu)異的蝕刻速率和選擇性（對氧化硅和硅），它在蝕刻時，在蝕刻物表面不留任何殘留物，是非常良好的清洗劑，同時在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的運用。

化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，一般條件下在水與堿溶液中均不反應(yīng)（三校合編無機化學(xué)第四版下冊534頁），只有當(dāng)放電時在水中才發(fā)生NF3+2H2O==放電==HNO2+3HF。F的電負性大于H，因此NF3中的孤對電子云由于向F偏移而導(dǎo)致電子云密度比在NH3中低，配位能力下降，因此質(zhì)子化時放熱小于NH3。偶極矩與上面類似，大概就是由于電負性的增強導(dǎo)致偶極矩的降低。
禁配物：還原劑、易燃或可燃物。
急性毒性
LD50
LC50：19000mg/m3，1小時(大鼠吸入)；5600mg/m3，4小時(小鼠吸入)
用途編輯
三氟化氮主要用途是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25%）可以以激光輻射釋放出，所 HF-OF激光器是化學(xué)激光器中**有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。